2023年11月12日至17日，第14屆國際氮化物半導(dǎo)體會議（International Conference on Nitride Semiconductors）在日本福岡市（Fukuoka）舉行，能華半導(dǎo)體亮相此次盛會。
國際氮化物半導(dǎo)體會議（ICNS）是氮化物半導(dǎo)體領(lǐng)域國際學(xué)術(shù)會議，會議內(nèi)容涉及氮化物半導(dǎo)體材料與器件的進展和研究動態(tài)，每兩年舉辦一次，自第一屆在日本召開以來，舉辦地點在亞洲、歐洲、美國之間輪替，會議為世界各地的學(xué)者提供了一個良好的交流、互動的學(xué)術(shù)平臺。
本屆ICNS-14會議共有1240余名來自世界各國的氮化物半導(dǎo)體領(lǐng)域的知名專家和學(xué)者參加了交流和討論，包含424場大會口頭學(xué)術(shù)報告和407個大會海報報告，涵蓋氮化物半導(dǎo)體“材料生長”、“電子器件”、“光學(xué)器件”和“基礎(chǔ)物理”等多個主題的研討，會議集中就氮化物材料中的重要物理機制、材料生長及缺陷控制技術(shù)、氮化物器件性能提高面臨的主要技術(shù)障礙和未來發(fā)展趨勢等進行了深入討論。
會上，能華半導(dǎo)體研發(fā)中心總監(jiān)武樂可博士發(fā)表了主題為《High-Vth E-mode HEMTs With Robust Gate-Bias-DependentVth Stability Enabled by Mg-Doped p-GaN Engineering》的精彩演講，針對能華EMODE器件具有閾值電壓（Vth)高、柵極可靠性強的優(yōu)點，從物理機制上分析了其原理，并通過各種測試手段進行了驗證，同時，在大會上介紹了能華半導(dǎo)體的EMODE和DMODE產(chǎn)品。
能華半導(dǎo)體研發(fā)中心夏遠洋博士與其導(dǎo)師Dr.J.Brault會面，夏博士在本次會議演講中針對GaN器件在1200V應(yīng)用中的耐壓表現(xiàn)和動態(tài)特性作了詳細表述，與來自歐美日多國專家就GaN器件在1200V領(lǐng)域的應(yīng)用潛力進行了深入討論，并對相關(guān)領(lǐng)域取得的進步和存在的挑戰(zhàn)進行了分析總結(jié)；預(yù)計將在2024年初，能華半導(dǎo)體將全面推出1200V量產(chǎn)器件。
氮化物半導(dǎo)體在全球科研人員和業(yè)界的共同努力下，歷經(jīng)數(shù)十年的發(fā)展，已逐步向下游器件乃至終端應(yīng)用領(lǐng)域延伸并與之深度綁定。
未來，能華半導(dǎo)體將繼續(xù)深耕、穩(wěn)中創(chuàng)新，讓我們拭目以待。
能華半導(dǎo)體與ICNS的歷史淵源
能華半導(dǎo)體創(chuàng)始人朱廷剛博士早在2001年就參加美國丹佛第4屆氮化物半導(dǎo)體國際會議，發(fā)表了《紫外光電化學(xué)選擇性刻蝕n/p GaN 在GaN BJT的應(yīng)用》；2015年，在北京第11屆氮化物半導(dǎo)體國際會議上，能華參與贊助并設(shè)置專門展位。
